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4H 碳化硅单晶晶圆，晶向、导电类型、直径、厚度和表面状态按项目确认。
6H 碳化硅晶圆，可按晶型、晶向、尺寸、抛光方式及应用需求评估。
碳化硅晶锭切割片，适合后续研磨、减薄和抛光加工，尺寸与状态按需沟通。
适用于宽禁带半导体研发与器件工艺，外延层结构及基底参数需按项目确认。
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