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SiC 外延晶圆

适用于宽禁带半导体研发与器件工艺,外延层结构及基底参数需按项目确认。

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SiC 外延晶圆

适用于宽禁带半导体研发与器件工艺,外延层结构及基底参数需按项目确认。

产品参数、供货状态及加工能力请以双方技术沟通和订单确认为准。

规格沟通建议

请按项目需要提供材料类型、尺寸、晶向、厚度、导电类型、表面状态、等级、数量及应用场景。具体规格与供货情况以双方确认为准。

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